Высказывания:
В наборе инструментов не хватает именно того гаечного ключа или сверла, которые нужны.

Основные параметры транзистора 2SC3229 биполярного высокочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора 2SC3229 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: NEC
Сфера применения: Power, TV Deflection
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2SC3229

Общий вид транзистора 2SC3229.	Цоколевка транзистора 2SC3229.

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC3229.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Транзистор с3229 параметры цоколевка

Наименование производителя: 2SC3229

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45

2SC3229 Datasheet (PDF)

..1. 2sc3229.pdf Size:179K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC3229DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOHigh Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching regulator, lighting inverter andgeneral purpose applications.ABSOLUTE MAX

8.1. 2sc3225.pdf Size:212K _toshiba

8.2. 2sc3220.pdf Size:91K _inchange_semiconductor

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC3220 DESCRIPTION With TO-247 package Switching power transistor High breakdown voltage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-247) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE U

8.3. 2sc3223.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

Источник