Транзистор п213 217 характеристики

Транзисторы П215, П217 — параметры,цоколевка.

Транзисторы П215.

Т ранзисторы П215 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения.
Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Маркировка буквенно — цифровая, на верхней поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )10 Вт с радиатором, 1,5 Вт — без.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер60 в.

Максимальное напряжение коллектор — база80 в.

Максимальное напряжение эмитер — база15 в.

Максимальный ток коллектора5 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до 150.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) — не более 30 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(80в) — не более 0,3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой150 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, базы 0,37А — не более 0,9 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 2,5А, базы 0,37А — не более 1.2 в.

Транзисторы П217, П217А, П217Б, П217В, П217Г.

Транзисторы П217 — германиевые, усилительные, большой мощности низкочастотные, структуры — p-n-p.
Предназначены для применения в выходных каскадах усилителей мощности, преобразователях напряжения, схемах переключения.
Выпускались в металлостеклянном корпусе двух видов с жесткими выводами.

Маркировка буквенно — цифровая, на верхней поверхности корпуса.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): У транзисторов П217, П217А, П217Б — 30 Вт (с радиатором).
У транзисторов П217В, П217Г — 24 Вт (с радиатором).

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер60 в.

Максимальное напряжение коллектор — база60 в.

Максимальное напряжение эмитер — база15 в.

Максимальный ток коллектора7,5 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» в режиме насыщения при токе коллектра 0,2 А -от 20 до 150.

Обратный ток коллектор-эмиттер при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-эмиттер (60в) — не более 50 мА.

Обратный ток коллектора при температуре 20 градусов по Цельсию и предельном напряжении коллектор-база(60в): У транзисторов П217, П217А, П217Б — не более 0,3 мА.
У транзисторов П217В, П217Г — не более 3 мА.

Граничная частота передачи тока в схеме с общей базой100 кГц.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,5А — не более 1 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3,5А, базы 0,5А — не более 1.5 в.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Вам понравится:  Схема подключения кнопки стоп ветерок 8

Источник

Характеристики германиевых транзисторов П213

П213 – германиевые сплавные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих схемах, блоках питания. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.

Корпусное исполнение и цоколевка П213

Характеристики транзистора П213

Предельные параметры П213

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • П213А, П213Б, П213 — 5 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp при сопротивлении в цепи база-эмиттеp (UКЭR max) при Тп = 25° C:

  • П213А, П213Б, П213 — 30 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттеpа, равном нулю (UКБ0 max) при Тп = 25° C:

  • П213А, П213Б, П213 — 45 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • П213 — 15 В
  • П213А — 10 В
  • П213Б — 10 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность транзистора (Pmax) при Тк = 45° C:

  • П213 — 11,5 Вт
  • П213А — 10 Вт
  • П213Б — 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • П213, П213А, П213Б — 85 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

  • П213, П213А, П213Б — 70 ° C

Электрические характеристики транзисторов П213 при Тп = 25 o С

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э)

  • П213 — 20 — 50 при UКЭ 5 В, при IК 1 А
  • П213А — 20 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А
  • П213Б — 40 при UКЭ 5 В, при IК 0,2 А

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • П213 — 0,5 В
  • П213Б — 2,5 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • П213А — 1 мА
  • П213Б — 1 мА

Обратный ток коллектоp-эмиттеp при разомкнутом выводе базы (IКЭ0)

  • П213 — 20 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • П213А, П213Б, П213 — 0,15 МГц

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • П213 — 3,5 ° C/Вт
  • П213А — 4 ° C/Вт
  • П213Б — 4 ° C/Вт

Источник

Транзистор П213

П213
Транзисторы П213 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.123ТУ;
— приемка «5» СИ3.365.012ТУ;
— приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2835, 5NU73, AD139, AD431, AD436, GD240, GD241.

Основные технические характеристики транзистора П213:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 11,5 Вт;
• fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20. 50;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,16 Ом

Вам понравится:  Требование к розеткам по напряжению

Источник

Транзистор П217

П217
Транзисторы П217 германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.
Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.342ТУ;
— приемка «5» СИ3.365.017ТУ;
— приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD130, AD131, AD132, AD163, AD303, AUY19, AUY20, AUY28, EFT214, EFT250, OC28, OC35, SFT214, SFT239.

Основные технические характеристики транзистора П217:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт;
• fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц;
• Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 15;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Источник

Транзисторы П213 и КТ815.

Транзисторы П213

Т ранзисторы П213 — германиевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Корпус металло-стекляный.
Маркировка буквенно — цифровая, сверху корпуса. На рисунке ниже — цоколевка П213.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока.
У транзистора П213 без буквы — от 20 до 50
У транзистора П213А — 20
У транзистора П213Б — 40

Граничная частота передачи тока — от 100 до 150 КГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер30 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный)5 А.

Обратный ток коллектора при напряжении эмиттер-коллектор 45в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию: У транзисторов П213 0,15 мА.
У транзисторов П213А, П213Б — 1 мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер 30в и нулевом базовом токе у транзисторов П213 — 20 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении коллектор-эмиттер 30в и сопротивлении база-эмитер 50 Ом- 10 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 15в и температуре +25 по Цельсию, у транзисторов П213 — 0,3 мА.
У транзисторов П213А, П213Б при напряжении эмиттер-база 10в — 0,4 мА.

Вам понравится:  Схема подключения термодатчика к вентилятору

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 3А и базовом 0,37А
— не более 0,75 в.

Рассеиваемая мощность коллектора11,5 Вт(на радиаторе).

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Транзисторы КТ815

Транзисторы КТ815 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 1 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ815 цифра 5, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ815.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В от 30.
У транзисторов КТ815Г — от 20.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ815А — 25 в.
У транзисторов КТ815Б — 45 в.
У транзисторов КТ815В — 60 в.
У транзисторов КТ815Г — 80 в.

Максимальный ток коллектора1,5 А постоянный, 3 А — импульсный.

Рассеиваемая мощность коллектора.10 Вт на радиаторе, 1 Вт — без.

Обратный ток колектора.
При напряжении коллектор-база 40 в — 50 мкА

Сопротивление базы. При напряжении эмиттер-база 5 в, токе коллектора 5 мА, на частоте 800 кГц — не более 800 Ом.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А
— не более 1,2 в.

Емкость коллекторного перехода при частоте 465 кГц и напряжении коллектор-база 5в — 60 пФ.

Граничная частота передачи тока3 МГц.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник

Поделиться с друзьями
Радиолюбительские схемы
Adblock
detector