Транзистор кт817б характеристики цоколевка

Транзистор КТ817

Транзистор КТ817 – отечественный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры в пластмассовом корпусе. Используется в ключевых и линейных электрических схемах, блоках и модулях радиоэлектронной аппаратуры предназначенной для широкого использования.

Цоколевка транзистора КТ817

Транзистора КТ817 имеет 2 типа маркировки:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ817 цифра 7, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают год и месяц выпуска.

Характеристики транзистора КТ817

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h21э fгр., МГц
КТ817А 40 40 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б 45 45 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б2 45 45 3 (6) 1 (25) ≥100 3
КТ817В 60 60 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г 100 90 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г2 100 90 3 (6) 1 (25) ≥100 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Аналоги транзистора КТ817

КТ817А — BD433
КТ817Б — BD233
КТ817В — BD235
КТ817Г — BD237

Источник

Транзистор КТ817Б

КТ817Б

КТ817Б
Транзисторы КТ817Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC790, 2SD235, BD175, BD233, BD437, BD615, BD933.

Вам понравится:  Простейший блок питания на конденсаторе

Основные технические характеристики транзистора КТ817Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (45В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Источник

DataSheet

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Транзистор КТ817

Параметры транзистора КТ817

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ817А BD433, TIP31, 2N4231 *1 , 2SD226 *3 , SDT4307 *3 , SDT4301 *3 , HSE2000 *3 , ZT1483A *1 , KSH31 *3 , 2N1483A *1 , MJE520
КТ817Б BD175, BD233, BD175, BD633 *3 , 2N4231 *1 , 2SD226 *3 , SDT4307 *3 , SDT4301 *3 , ZT1483A *1 , KSH31 *1 , 2N1483A *1
КТ817В BD177. BD235, 2N4232 *1 , 2N1079 *1 , 2SD226A *3 , SDT4308 *3 , SDT4302 *3 , BD635 *3 , ZT1484A *1 , 2N1484A *1
КТ817Г BD179, BD237, MJD31C *1 , CJD31C *1 , 2N3676 *1 , 2SD129 *1 , BD179, 2N4233 *1 , 2SD390A *3 , 2SD389A *3 , 2SD366A *3 , 2SD365A *3 , 2SD318A *3 , 2SD317A *3
КТ817Б-2 2SD880, BD933 *3 , KD233 *2 , BD233 *2 , BD813 *2 , 2SD235Y *1 , 2SD1189FQ, 2SD1189FP,

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2 BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1 , PG1013 *1 , BD179-10 *3 , 2SD1381FQ, 2SD1381FP,

2SD1381F, PG1012 *3 , 2SD880Y *3 , 2SD1902R *3

Структура n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P * K, τ max,P ** K, и max КТ817А 25* Вт
КТ817Б 25*
КТ817В 25*
КТ817Г 25*
КТ817Б-2 25*
КТ817Г-2 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max КТ817А ≥3 МГц
КТ817Б ≥3
КТ817В ≥3
КТ817Г ≥3
КТ817Б-2 ≥3
КТ817Г-2 ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. КТ817А 40* В
КТ817Б 45*
КТ817В 60*
КТ817Г 100*
КТ817Б-2 45*
КТ817Г-2 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб., КТ817А 5 В
КТ817Б 5
КТ817В 5
КТ817Г 5
КТ817Б-2 5
КТ817Г-2 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I * К , и max КТ817А 3(6*) А
КТ817Б 3(6*)
КТ817В 3(6*)
КТ817Г 3(6*)
КТ817Б-2 3(6*)
КТ817Г-2 3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I * КЭR, I ** КЭO КТ817А 25 В ≤0.1 мА
КТ817Б 45 В ≤0.1
КТ817В 60 В ≤0.1
КТ817Г 100 В ≤0.1
КТ817Б-2 40 В ≤0.1
КТ817Г-2 40 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э, h * 21Э КТ817А 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б 2 В; 1 А ≥25*
КТ817В 2 В;1 А ≥25*
КТ817Г 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б-2 5 В; 50 мА ≥100*
КТ817Г-2 5 В; 50 мА ≥100*
Емкость коллекторного перехода cк, с * 12э КТ817А 10 В ≤60 пФ
КТ817Б 10 В ≤60
КТ817В 10 В ≤60
КТ817Г 10 В ≤60
КТ817Б-2 10 В ≤60
КТ817Г-2 10 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. КТ817А ≤0.6 Ом, дБ
КТ817Б ≤0.6
КТ817В ≤0.6
КТ817Г ≤0.6
КТ817Б-2 ≤0.08
КТ817Г-2 ≤0.08
Коэффициент шума транзистора Кш, r * b, P ** вых КТ817А Дб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) КТ817А пс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Источник

Поделиться с друзьями
Радиолюбительские схемы
Adblock
detector