Транзистор КТ817
Транзистор КТ817 – отечественный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры в пластмассовом корпусе. Используется в ключевых и линейных электрических схемах, блоках и модулях радиоэлектронной аппаратуры предназначенной для широкого использования.
Цоколевка транзистора КТ817
Транзистора КТ817 имеет 2 типа маркировки:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ817 цифра 7, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают год и месяц выпуска.
Характеристики транзистора КТ817
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h21э | fгр., МГц |
| КТ817А | 40 | 40 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Б2 | 45 | 45 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
| КТ817В | 60 | 60 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | 25-275 | 3 |
| КТ817Г2 | 100 | 90 | 3 (6) | 1 (25) | ≥100 | 3 |
Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816
Аналоги транзистора КТ817
КТ817А — BD433
КТ817Б — BD233
КТ817В — BD235
КТ817Г — BD237
Транзистор КТ817Б
КТ817Б
КТ817Б
Транзисторы КТ817Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» аА0.336.187ТУ/02.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Импортный аналог: 2SC790, 2SD235, BD175, BD233, BD437, BD615, BD933.
Основные технические характеристики транзистора КТ817Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (45В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом
DataSheet
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Транзистор КТ817
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ817А | — | BD433, TIP31, 2N4231 *1 , 2SD226 *3 , SDT4307 *3 , SDT4301 *3 , HSE2000 *3 , ZT1483A *1 , KSH31 *3 , 2N1483A *1 , MJE520 | ||
| КТ817Б | — | BD175, BD233, BD175, BD633 *3 , 2N4231 *1 , 2SD226 *3 , SDT4307 *3 , SDT4301 *3 , ZT1483A *1 , KSH31 *1 , 2N1483A *1 | |||
| КТ817В | — | BD177. BD235, 2N4232 *1 , 2N1079 *1 , 2SD226A *3 , SDT4308 *3 , SDT4302 *3 , BD635 *3 , ZT1484A *1 , 2N1484A *1 | |||
| КТ817Г | — | BD179, BD237, MJD31C *1 , CJD31C *1 , 2N3676 *1 , 2SD129 *1 , BD179, 2N4233 *1 , 2SD390A *3 , 2SD389A *3 , 2SD366A *3 , 2SD365A *3 , 2SD318A *3 , 2SD317A *3 | |||
| КТ817Б-2 | — | 2SD880, BD933 *3 , KD233 *2 , BD233 *2 , BD813 *2 , 2SD235Y *1 , 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 2SD1189F, 2SD235G-Y *1 | |||
| КТ817Г-2 | — | BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1 , PG1013 *1 , BD179-10 *3 , 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 2SD1381F, PG1012 *3 , 2SD880Y *3 , 2SD1902R *3 | |||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P * K, τ max,P ** K, и max | КТ817А | — | 25* | Вт |
| КТ817Б | — | 25* | |||
| КТ817В | — | 25* | |||
| КТ817Г | — | 25* | |||
| КТ817Б-2 | — | 25* | |||
| КТ817Г-2 | — | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f * h21б, f ** h21э, f *** max | КТ817А | — | ≥3 | МГц |
| КТ817Б | — | ≥3 | |||
| КТ817В | — | ≥3 | |||
| КТ817Г | — | ≥3 | |||
| КТ817Б-2 | — | ≥3 | |||
| КТ817Г-2 | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб. | КТ817А | 1к | 40* | В |
| КТ817Б | 1к | 45* | |||
| КТ817В | 1к | 60* | |||
| КТ817Г | 1к | 100* | |||
| КТ817Б-2 | 1к | 45* | |||
| КТ817Г-2 | 1к | 100* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ817А | — | 5 | В |
| КТ817Б | — | 5 | |||
| КТ817В | — | 5 | |||
| КТ817Г | — | 5 | |||
| КТ817Б-2 | — | 5 | |||
| КТ817Г-2 | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I * К , и max | КТ817А | — | 3(6*) | А |
| КТ817Б | — | 3(6*) | |||
| КТ817В | — | 3(6*) | |||
| КТ817Г | — | 3(6*) | |||
| КТ817Б-2 | — | 3(6*) | |||
| КТ817Г-2 | — | 3(6*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I * КЭR, I ** КЭO | КТ817А | 25 В | ≤0.1 | мА |
| КТ817Б | 45 В | ≤0.1 | |||
| КТ817В | 60 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Г | 100 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Б-2 | 40 В | ≤0.1 | |||
| КТ817Г-2 | 40 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h * 21Э | КТ817А | 2 В; 1 А | ≥25* | |
| КТ817Б | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ817В | 2 В;1 А | ≥25* | |||
| КТ817Г | 2 В; 1 А | ≥25* | |||
| КТ817Б-2 | 5 В; 50 мА | ≥100* | |||
| КТ817Г-2 | 5 В; 50 мА | ≥100* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с * 12э | КТ817А | 10 В | ≤60 | пФ |
| КТ817Б | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817В | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Г | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Б-2 | 10 В | ≤60 | |||
| КТ817Г-2 | 10 В | ≤60 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р. | КТ817А | — | ≤0.6 | Ом, дБ |
| КТ817Б | — | ≤0.6 | |||
| КТ817В | — | ≤0.6 | |||
| КТ817Г | — | ≤0.6 | |||
| КТ817Б-2 | — | ≤0.08 | |||
| КТ817Г-2 | — | ≤0.08 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r * b, P ** вых | КТ817А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ817Б | — | — | |||
| КТ817В | — | — | |||
| КТ817Г | — | — | |||
| КТ817Б-2 | — | — | |||
| КТ817Г-2 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс) | КТ817А | — | — | пс |
| КТ817Б | — | — | |||
| КТ817В | — | — | |||
| КТ817Г | — | — | |||
| КТ817Б-2 | — | — | |||
| КТ817Г-2 | — | — |
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.