Схема составного транзистора кт825

Транзисторы КТ818 и КТ825

Транзисторы КТ818

Т ранзисторы КТ818 — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — p-n-p.
Транзисторы 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818АМ, 2Т818БМ, 2Т818ВМ, 2Т818ГМ выполнены в металло-стеклянном корпусе (TO-3).
Транзисторы КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — в пластиковом (TO-220).
Маркировка буквенно — цифровая.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 3 МГц.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ818Г — не ниже 12.
У транзисторов КТ818А, КТ818В — не ниже 15.
У транзисторов КТ818Б, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — не ниже 20.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ818А — 25 в.
У транзисторов КТ818Б, КТ818БМ, 2Т818В — 40 в.
У транзисторов КТ818В, КТ818ВМ, 2Т818Б — 60 в.
У транзисторов КТ818Г, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818А2 — 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 15 А.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — 20 А.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 5 А и базовом токе 0,5 А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — не более 1,5 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — не более 3 в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 5 А и базовом 0,5А:
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 1 в.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — 2 в.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 2в не более — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор — база 40 в:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г,КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ при температуре от -40 градусов Цельсия до +24 — 1 мА, при +100 — 10 мА.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 60 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ, 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 100 Вт на радиаторе.
У транзисторов 2Т818А2, 2Т818Б2, 2Т818В2 — 40 Вт на радиаторе.
У транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г — 1,5 Вт без радиатора.
У транзисторов КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ — 2 Вт без радиатора.
У транзисторов 2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В — 3 Вт без радиатора.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ818

КТ818А — 2N5193.
КТ818Б — 2N6132.
КТ818БМ — 2N6469.
КТ818В — 2N5194.
КТ818ВМ — 2N6246.
КТ818ГM — 2N6247.
2Т818А — BD292.
2Т818Б — BD202.
2Т818В — BD177.

Несложная схема мощного усилителя с КТ818 и КТ819 в выходном каскаде.

Транзисторы VT1,VT2 — КТ3102А, КТ3102Б, КТ315В тоже подойдут.
Транзисторы VT3,VT5 — КТ814А(КТ816А подойдут тоже),VT4 — КТ815А или КТ817А, транзистор VT7 — КТ818, транзистор VT6 — КТ819. Конденсаторы на напряжение 50в. Резисторы R7 — R8 проволочные(нихром), остальные любого типа, мощностью 0,25 Вт. Источник питания двухполярный, желательно стабилизированный расчитанный на работу при макимальных токах не менее 5 А.

Настройка сводится к подбору величины сопротивления резисторов R3 и R6. R3 задает режим работы входного каскада(диф.усилитель), R6 — режим работы выходного каскада на составных транзисторах, ток покоя должен составлять менее 60 mA.
Максимальный уровень выходного сигнала(амплитуда 12 в) без заметных искажений, при активной нагрузке 4 Ома, достигается при напряжении на входе 1в. Т. е. — коэффициент усиления по напряжению всего лишь — 12. Но ток в нагрузке при этом может достигать 3А. Таким образом, можно сказать, что моментальная пиковая мощность достигает 36 вт при активной нагруке 4 Ома. При активной нагрузке 2 Ома амплитуда выходного каскада снижается до 10 в, но ток вырастает до 5А. В итоге, пиковая мощность может достигать 50 вт.

Можно поробовать увеличить мощность, повышая напряжение питания. Это потребует изменения величины сопротивления резисторов R3 и R6 в сторону увеличения номинала. При повышении напряжения питания до 18в при нагрузке 4 Ома, можно получить пиковую мощность свыше 50вт и действующую — около 30.

Вам понравится:  Спутниковая антенна диаметр 120 см

Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Источник

Транзистор кт825

КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — транзисторы p-n-p, составные, большой мощности, средней частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе КТ-9, предназначенные для работы в ключевых и линейных схемах, узлах и блоках аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ825

  • Полного аналога нет, в некоторых случаях можно заменить на TIP147, 2N6052, MJ11013, MJ11015.

Особенности

  • Максимально допустимая температура корпуса — 100°C

КТ825 характеристики:

Предельные параметры КТ825

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IK max):

  • КТ825Г, Д, Е — 20 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IK, и max):

  • КТ825Г, Д, Е — 30 А

Граничное напряжение (UKЭ0 гр):

  • КТ825Г — 70 В
  • КТ825Д — 45 В
  • КТ825Е — 25 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max):

  • КТ825Г, Д, Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PK max) при температуре корпуса 25° C:

  • КТ825Г, Д, Е — 125 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Тп max):

  • КТ825Г, Д, Е — 150° C

Значения параметров КТ825 при Тперехода=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 10 В, при постоянном токе эмиттера (IЭ) 10 А:

  • КТ825Г, Д, Е — 750

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ825Г, Д, Е — 2 В

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ825Г, Д, Е — 4 МГц

Емкость коллектоpного перехода (CК)

  • КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Емкость эмиттеpного перехода (CЭ)

  • КТ825Г, Д, Е — 600 пф

Время включения биполярного транзистора (tвкл)

  • КТ825Г, Д, Е — 1 мкс

Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)

  • КТ825Г, Д, Е — 4,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТп-к)

  • КТ825Г, Д, Е — 1° С/Вт
Вам понравится:  Сигнализация вымпел схема подключения

Источник

Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)

Кремниевый составной транзистор КТ825 (p-n-p)

Кремниевые меза-планарные p-n-p составные транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В в металло-стеклянном корпусе КТ-9 ГОСТ 18472-88 предназначенные для работы в линейных и ключевых схемах.

Содержание драгоценных металлов в 1000 штук транзисторов: золото 10.0332 грамм, серебро 48.0028 грамм. Содержание цветных металлов медь — 3.8 грамм в одном транзисторе.

Сведения о приемке: Транзисторы типов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В соответствуют техническим условиям аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзисторов КТ825:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
при T = 25°C
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт при TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКБ IЭ, А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ825Г 20 30 70 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
КТ825Д 20 30 45 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
КТ825Е 20 30 25 5 125 25 150 100 750 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1
2Т825А 20 40 80 5 160 25 175 125 500. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825Б 20 40 60 5 160 25 175 125 750. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825В 20 40 45 5 160 25 175 125 750. 18000 10 10 2 4 600 600 1 4,5 1,2
2Т825А2 15 40 80 100 5 30 25 150 100 500. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17
2Т825Б2 15 40 60 80 5 30 25 150 100 750. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17
2Т825В2 15 40 45 60 5 30 25 150 100 750. 18000 10 10 2 4 250 400 4,17

КТ825 эквивалентная схема составного танзистора:

Источник

Составной транзистор (схема Дарлингтона и Шиклаи)

Составной транзистор — электрическое соединение двух или более биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др.

Условное обозначение составного транзистора

Составной транзистор имеет три вывода (база, эмиттер и коллектор), которые эквивалентны выводам обычного одиночного транзистора. Коэффициент усиления по току типичного составного транзистора (иногда ошибочно называемого «супербета»), у мощных транзисторов ≈ 1000 и у маломощных транзисторов ≈ 50000. Это означает, что небольшого тока базы достаточно для того, чтобы составной транзистор открылся.

В отличие от биполярных, полевые транзисторы не используются в составном включении. Объединять полевые транзисторы нет необходимости, так как они и без того обладают чрезвычайно малым входным током. Однако существуют схемы (например, биполярный транзистор с изолированным затвором), где совместно применяются полевые и биполярные транзисторы. В некотором смысле, такие схемы также можно считать составными транзисторами. Так же для составного транзистора достигнуть повышения значения коэффициента усиления можно, уменьшив толщину базы, но это представляет определенные технологические трудности.

Примером супербета (супер-β) транзисторов может служить серия КТ3102, КТ3107. Однако их также можно объединять по схеме Дарлингтона. При этом базовый ток смещения можно сделать равным всего лишь 50 пкА (примерами таких схем служат операционные усилители типа LM111 и LM316).

Фото типичного усилителя на составных транзисторах

Один из видов такого транзистора изобрёл инженер-электрик Сидни Дарлингтон (Sidney Darlington).

Принципиальная схема составного транзистора

Составной транзистор является каскадным соединением нескольких транзисторов, включенных таким образом, что нагрузкой в эмиттере предыдущего каскада является переход база-эмиттер транзистора следующего каскада, то есть транзисторы соединяются коллекторами, а эмиттер входного транзистора соединяется с базой выходного. Кроме того, в составе схемы для ускорения закрывания может использоваться резистивная нагрузка первого транзистора. Такое соединение в целом рассматривают как один транзистор, коэффициент усиления по току которого при работе транзисторов в активном режиме приблизительно равен произведению коэффициентов усиления первого и второго транзисторов:

Покажем, что составной транзистор действительно имеет коэффициент β , значительно больший, чем у его обоих компонентов. Задавая приращение d l б = d l б1 , получаем:

Вам понравится:  Телевизионная наружная антенна bas 1121

Деля d lк на dl б , находим результирующий дифференциальный коэффициент передачи:

Поскольку всегда β >1 , можно считать:

Следует подчеркнуть, что коэффициенты β 1 и β 1 могут различаться даже в случае однотипных транзисторов, поскольку ток эмиттера Iэ2 в 1 + β2 раз больше тока эмиттера Iэ1 (это вытекает из очевидного равенства Iб2 = Iэ1 ).

Паре Дарлингтона подобно соединение транзисторов по схеме Шиклаи, названное так в честь его изобретателя Джорджа Шиклаи, также иногда называемое комплементарным транзистором Дарлингтона. В отличие от схемы Дарлингтона, состоящей из двух транзисторов одного типа проводимости, схема Шиклаи содержит транзисторы разной полярности ( p – n – p и n – p – n ). Пара Шиклаи ведет себя как n – p – n -транзистор c большим коэффициентом усиления. Входное напряжение — это напряжение между базой и эмиттером транзистора Q1, а напряжение насыщения равно, по крайней мере, падению напряжения на диоде. Между базой и эмиттером транзистора Q2 рекомендуется включать резистор с небольшим сопротивлением. Такая схема применяется в мощных двухтактных выходных каскадах при использовании выходных транзисторов одной полярности.

Каскад Шиклаи, подобный транзистору с n – p – n переходом

Составной транзистор, выполненный по так называемой каскодной схеме, характеризуется тем, что транзистор VT1 включен по схеме с общим эмиттером, а транзистор VT2 — по схеме с общей базой. Такой составной транзистор эквивалентен одиночному транзистору, включенному по схеме с общим эмиттером, но при этом он имеет гораздо лучшие частотные свойства и большую неискаженную мощность в нагрузке, а также позволяет значительно уменьшить эффект Миллера (увеличение эквивалентной ёмкости инвертирующего усилительного элемента, обусловленное обратной связью с выхода на вход данного элемента при его выключении).

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей. В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ — граничная частота усиления по току и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT1 и VT2.

а) Высокий коэффициент усиления по току.

б) Cхема Дарлингтона изготавливается в виде интегральных схем и при одинаковом токе рабочая поверхность кремния меньше, чем у биполярных транзисторов. Данные схемы представляют большой интерес при высоких напряжениях.

а) Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое. По этой причине составные транзисторы используются преимущественно в низкочастотных ключевых и усилительных схемах, на высоких частотах их параметры хуже, чем у одиночного транзистора.

б) Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер в схеме Дарлингтона почти в два раза больше, чем в обычном транзисторе, и составляет для кремниевых транзисторов около 1,2 — 1,4 В (не может быть меньше, чем удвоенное падение напряжения на p-n переходе).

в) Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0,9 В (по сравнению с 0,2 В у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности (не может быть меньше чем падение напряжения на p-n переходе плюс падение напряжения на насыщенном входном транзисторе).

Применение нагрузочного резистора R1 позволяет улучшить некоторые характеристики составного транзистора. Величина резистора выбирается с таким расчётом, чтобы ток коллектор-эмиттер транзистора VT1 в закрытом состоянии создавал на резисторе падение напряжения, недостаточное для открытия транзистора VT2. Таким образом, ток утечки транзистора VT1 не усиливается транзистором VT2, тем самым уменьшается общий ток коллектор-эмиттер составного транзистора в закрытом состоянии. Кроме того, применение резистора R1 способствует увеличению быстродействия составного транзистора за счёт форсирования закрытия транзистора VT2. Обычно сопротивление R1 составляет сотни Ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько кОм в малосигнальном транзисторе Дарлингтона. Примером схемы с эмиттерным резистором служит мощный n-p-n — транзистор Дарлингтона типа кт825, его коэффициент усиления по току равен 10000 (типичное значение) для коллекторного тока, равного 10 А.

Источник

Поделиться с друзьями
Радиолюбительские схемы
Adblock
detector